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DRIE ETCHER

TSV技术是将半导体进行 MULTI STACK或将多种半导体进行CHIP化(SIC)的必需工艺,最近添加了MEMS(敏感)元件,成为AI(人工智能)、自动驾驶等第四产业的核心技术。
Gigalane的DRIE Etcher用于MEMS、TSV、Si thinning等多种Si etching工程,具有快速的蚀刻速度、优秀的蚀刻选择性和均匀性。
Features
  • High density Plasma用 Dual ICP Source(13.56MHz)

    形成高密度的等离子体,提供稳定的均匀性

  • 确保统一性的Exhaust vessel ring结构

    Exhaust vessel ring是一种特殊的结构,可以改变为etch open ratio带来的变化,使其均匀性变得更好

  • 使用Fast Response MFC

    采用最适合Cycle Process的MEMS结构的MFC,可实现更短更快的Cycle,有效获得smooth sidewall。

  • 提供特殊功能

    为了刻蚀多种材质、符合产品的形状,可实现Recipe tuning因子Ramping(Up,Down)功能。
    为了卓越的选择费和刻蚀适合产品的形状而提供强大的Pulsing功能。
    研究、批量生产时,为节省时间,提供工程预约功能。

提供多种Flatform
  • Neos-MAXIS200D
  • NeoGEN-MAXIS200D
  • NeoGENII-MAXIS200D
  • NeoGENIII-MAXIS300D
Process Data
Cycle process
Non-Cycle process